| Обозначение |
Параметр |
| B1-B2/Iк |
статический коэффициент
передачи тока биполярного транзистора в схеме с
общим эмиттером; в справочнике приводятся
минимальное (B1) и максимальное (B2) значение и ток
(Iк) при котором этот параметр определяется. |
| Fт |
предельная частота
коэффициента передачи тока биполярного
транзистора. |
| Cк/Uк |
емкость коллекторного
перехода (Cк) и напряжение на коллекторе (Uк), при
котором она измеряется. |
| Cэ/Uэ |
емкость эмиттерного перехода
(Cэ) и напряжение эмиттер/база (Uэ), при котором она
измеряется. |
| Rб*Cк |
постоянная времени цепи
обратной связи на высокой частоте биполярного
транзистора. |
| tр |
время рассасывания
биполярного транзистора. |
| Uкэ(Iк/Iб) |
напряжение насыщения
коллектор-эмиттер (Uкэ) биполярного транзистора
при заданном токе коллектора (Iк) и заданном токе
базы (Iб). |
| Iко |
обратный ток коллектора. |
| Uкб |
максимально допустимое
постоянное напряжение коллектор-база. |
| Uэб |
максимально допустимое
постоянное напряжение эмиттер-база. |
| Uкэ/R |
максимально допустимое
постоянное напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ) при
заданной величине сопротивления, включенного
между базой и эмиттером (R). |
| Iбм |
предельно допустимый
постоянный ток базы транзистора. |
| Iкм/Iкнас |
предельно допустимый
постоянный (Iкм) ток коллектора предельно
допустимый ток коллектора в режиме насыщения
(Iкнас) или в импульсе. |
| Pк |
максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность на
коллекторе. |
| Pк/Pт |
максимально допустимая
постоянная рассеиваемая мощность на транзисторе
без теплоотвода (Pк) и с теплоотводом (Pт). |
| Rпк |
тепловое сопротивление
перехода коллектор-корпус транзистора. |
| Пер |
тип перехода транзистора. |
| Цок |
номер рисунка с расположением
выводов. |
Если приводится два значения
параметра через черточку, это означает
минимальное и максимальное значение.
Значение со звездочкой (*) приводится
для импульсного режима.
Параметр, помеченный буквой "т"
означает, что приводится типовое значение.
